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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
52
读取速度,GB/s
11.9
14.7
写入速度,GB/s
8.5
11.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2814
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
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