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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
11.9
13.7
写入速度,GB/s
8.5
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2792
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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