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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.2
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.9
20.2
写入速度,GB/s
8.5
15.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3559
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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