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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
11.9
15.5
写入速度,GB/s
8.5
12.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2685
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
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