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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
11.9
17.6
写入速度,GB/s
8.5
14.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3236
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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