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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.9
16.1
写入速度,GB/s
8.5
11.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2916
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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