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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
11.9
17.4
写入速度,GB/s
8.5
18.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3731
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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