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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
11.9
15.5
写入速度,GB/s
8.5
10.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2486
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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