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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

总分
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

总分
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I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB 需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 5.3
    测试中的平均数值
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB 需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 27
    左右 -4% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 11.8
  • 写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 5.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1620 left arrow 1884

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Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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内存RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
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