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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
11.9
11.8
写入速度,GB/s
8.5
5.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
1884
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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