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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Kingston 9905700-072.A01G 16GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
40
读取速度,GB/s
11.9
16.6
写入速度,GB/s
8.5
14.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3038
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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