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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
11.9
16.6
写入速度,GB/s
8.5
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2945
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
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