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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
11.9
20.1
写入速度,GB/s
8.5
16.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
3778
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
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