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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
11.9
15.8
写入速度,GB/s
8.5
11.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2824
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
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