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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
11.9
15.0
写入速度,GB/s
8.5
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2292
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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