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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
11.9
15.9
写入速度,GB/s
8.5
12.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2854
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
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