RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
比较
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
总分
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
11.9
14.7
写入速度,GB/s
8.5
10.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1620
2764
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM的比较
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
‹
›
报告一个错误
×
Bug description
Source link