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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
比较
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB vs Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
总分
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
总分
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
42
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
11.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR5
PassMark中的延时,ns
42
33
读取速度,GB/s
14.3
14.8
写入速度,GB/s
11.0
11.4
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2074
2812
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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