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Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
总分
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
14.2
13.6
写入速度,GB/s
11.4
9.2
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2462
2434
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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