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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.9
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
11.3
20.9
写入速度,GB/s
5.5
16.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1913
3835
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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