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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
11.3
16.9
写入速度,GB/s
5.5
13.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1913
3285
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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