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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
比较
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
总分
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
总分
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
76
左右 67% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
76
读取速度,GB/s
11.3
13.3
写入速度,GB/s
5.5
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1913
1513
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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