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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
比较
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
总分
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
34
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
34
读取速度,GB/s
11.3
17.3
写入速度,GB/s
5.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1913
2665
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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