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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
比较
Kingston HP669238-071-HYC 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
总分
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
72
左右 65% 更低的延时
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
72
读取速度,GB/s
11.3
15.3
写入速度,GB/s
5.5
8.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1913
1817
Kingston HP669238-071-HYC 4GB RAM的比较
Kingston HP698650-154-KEB 4GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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