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Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
比较
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
总分
Kingston HX316C10F/8 8GB
总分
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
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更快的读取速度,GB/s
17.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
36
36
读取速度,GB/s
14.7
17.1
写入速度,GB/s
9.2
10.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2585
2765
Kingston HX316C10F/8 8GB RAM的比较
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
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