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Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
Kingston HX316C10F/8 8GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
Kingston HX316C10F/8 8GB
总分
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX316C10F/8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
37
读取速度,GB/s
14.7
14.6
写入速度,GB/s
9.2
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2585
2780
Kingston HX316C10F/8 8GB RAM的比较
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Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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