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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
6.1
18.1
写入速度,GB/s
4.1
14.4
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
3010
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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