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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
186
左右 63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
6.1
3.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
4.1
2.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
186
读取速度,GB/s
6.1
3.9
写入速度,GB/s
4.1
2.0
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
536
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
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