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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
6.1
16.3
写入速度,GB/s
4.1
10.7
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
2937
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX426C13/8G 8GB
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