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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
69
左右 -138% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
29
读取速度,GB/s
6.1
16.1
写入速度,GB/s
4.1
11.2
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
2916
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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