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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Kingston 9905701-018.A00G 16GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
6.1
17.7
写入速度,GB/s
4.1
13.9
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
3214
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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