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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
54
69
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
54
读取速度,GB/s
6.1
9.3
写入速度,GB/s
4.1
7.3
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
1904
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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