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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
50
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
29
读取速度,GB/s
10.0
16.9
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2159
3285
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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