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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
12.6
17.9
写入速度,GB/s
7.7
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
3396
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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