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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
26
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
17
读取速度,GB/s
12.6
21.1
写入速度,GB/s
7.7
19.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
3829
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
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