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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
64
左右 59% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
64
读取速度,GB/s
12.6
16.8
写入速度,GB/s
7.7
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1820
2052
Kingston K1N7HK-ELC 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
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