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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
比较
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB vs Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
总分
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
14.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
19.5
18.2
写入速度,GB/s
14.5
14.9
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3501
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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