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Kingston KF552C40-16 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
Kingston KF552C40-16 16GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
Kingston KF552C40-16 16GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KF552C40-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
76
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF552C40-16 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
76
读取速度,GB/s
15.5
15.7
写入速度,GB/s
13.2
8.7
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3343
1809
Kingston KF552C40-16 16GB RAM的比较
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
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Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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