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Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
比较
Kingston KF552C40-16 16GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
总分
Kingston KF552C40-16 16GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KF552C40-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 -7% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
28
读取速度,GB/s
15.5
13.8
写入速度,GB/s
13.2
8.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3343
2443
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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