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Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
68
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
4.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
38
读取速度,GB/s
6.3
16.5
写入速度,GB/s
4.4
10.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1287
2829
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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