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Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
比较
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
总分
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
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SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
68
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
4.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
28
读取速度,GB/s
6.3
18.6
写入速度,GB/s
4.4
15.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1287
3552
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB RAM的比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
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