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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.5
15.8
写入速度,GB/s
9.7
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2373
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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