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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
36
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
20
读取速度,GB/s
14.5
19.0
写入速度,GB/s
9.7
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3410
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB RAM的比较
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Mushkin 991586 2GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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