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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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需要考虑的原因
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
14.7
16.0
写入速度,GB/s
9.1
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
3313
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB RAM的比较
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
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