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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
14.7
18.1
写入速度,GB/s
9.1
13.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
3534
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
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