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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
14.7
17.1
写入速度,GB/s
9.1
12.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
3257
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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