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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
总分
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
14.7
18.8
写入速度,GB/s
9.1
14.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2496
3675
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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