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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
13.1
19.5
写入速度,GB/s
8.5
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
3890
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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