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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
40
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
34
读取速度,GB/s
13.1
13.1
写入速度,GB/s
8.5
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
2200
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
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