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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
40
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
38
读取速度,GB/s
13.1
15.5
写入速度,GB/s
8.5
12.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
2283
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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