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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
13.1
14.9
写入速度,GB/s
8.5
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2148
2373
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
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Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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